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    快速熔断器170M8607

      发布时间:2019-05-08 15:56

      首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。

      快速熔断器170M8607 众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。 西门康(赛米控)可控硅模块全新原装

      将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指回零。此时即可判断IGBT 是好的。

      任何指式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

      快速熔断器170M8607   新型保护模式 将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管(TVS)。一般栅极驱动电压约为15V,可以选型SJ15CA。该产品可以通过IEC61000-4-5浪涌测试10/700US6kV。 TVS反应速度极快(达PS级),通流能力远超稳压二极管(可达上千安培),同时,TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。 将传统电阻RG变更为正温度系数(PPTC)。它既具有电阻的效果,又对温度比较敏感。当内部电流增加时,其阻抗也在增加,从而对过流具有非常好的抑制效果。 西门康(赛米控)整流桥模块原装进口

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。

      若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。

      快速熔断器170M8607 逆变器与电动成的调速传动系统进入实用化阶段已经有近 20 年的历史。调速系统中的核心“变频器”是一个复杂的电子系统,易受到电磁环境的影响而发生损坏。工业系统运行过程中,生产工艺的连续性不允许系统停机,否则将意味着巨大的经济损失。特别是在一些特殊的应用场合,如自动化和宇宙空间系统、核能和的化学工厂中,更不允许逆变器因故障停机。由于系统可自动维护性、生存能力等指标的要求明显提高,近年来对具有容错能力的控制系统的研究得到了更多的关注。高故障容限控制系统应迅速地进行故障分析, 故障后主动重构系统的软硬件结构, 实行冗余、容错等控制策略,确保整个系统在不损失性能指标或部分性能指标降低的情况下安全运行,规避异常停机所造成的巨大经济损失,满足某些特殊行业的需求。实现高故障容限控制系统的前提条件是准确的故障诊断,只有准确故障,才能据此进行容错控制,应对逆变器中 IGBT 的开路故障诊断展开研究 。

      IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。

      快速熔断器170M8607 严格地说,在变频器−电成的控制系统中任何一个功能单元、任何一个元器件发生故障都是可能的,但变频器部分发生故障的几率要远远高于电机。而在变频器中,逆变桥 IGBT 的开路和短路故障又占了相当大的比重。所以上述故障的诊方法是高故障容限变频器研究的热点问题。IGBT的短路故障已有成熟的方案,即通过硬件电路检测IGBT 的 D-S 压降,可以准确判别故障管。 IGBT 开路故障也时有发生,一方面是由于过流烧毁,导致开路,另一方面是由于接线不良、驱动断线等原因导致的驱动开路。 西门康(赛米控)可控硅模块原装

      由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因。因此使用中要注意以下几点:

      在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

      快速熔断器170M8607 在传统的使用和设计IGBT的过程中,基本上都是采用粗放式的设计模式,所需余量较大,系统庞大,但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。那么该如何突破传统的IGBT系统电路保护设计来解决上述问题呢?

      在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

      在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将或停止IGBT模块工作。

      一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。

      IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

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