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    快速熔断器170M1369

      发布时间:2019-05-13 17:32

      快速熔断器170M1369 电流检测法为常用,其又派生出平均电流 Park矢量法、单电流传感器法和电流斜率法等,平均电流 Park 矢量法以 Coimbra 大学的 J.A.ACaseiro 教授发表的几篇文章为代表。该方法在α − β 坐标系下进行,通过 3-2 变换得到 I α 和 I β ,在一个电流周期内求其平均值,根据平均值求得平均电流 Park 矢量。 故障出现时 Park 矢量将不为零,通过判断其幅值和相位确定哪只 IGBT 出现故障。平均电流 Park 矢量法的缺点在于其对负载敏感, 负载不同情况下, Park 矢量电流大小不同,会造成评价故障的标准不统一。电流矢量斜率法根据故障前后定子电流矢量轨迹斜率的不同来诊断故障,缺点在于该方法极易受到干扰而导致误判。 西门康(赛米控)可控硅模块原厂品质

      首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。

      快速熔断器170M1369 相对于短路故障而言,开路故障发生后往往电机还能够继续运行,所以不易被发现,但其危害较大,因为在此情况下其余 IGBT将流过更大的电流,易发生过流故障;且电机电流中存在直流电流分量,会引起转矩减小、发热、绝缘损坏等问题,如不及时处理开路故障,会引发更大的事故。检测出某 IGBT 开路后,才可以采用桥臂冗余、四开关等方式继续安全容错运行。归纳国内外学者在 IGBT 开路故障诊断方法上所展开的研究,主要有系统法、电流检测法和电压检测法三种。系统法基于经验积累,将可能发生的故障一一列出,归纳出规律并建立知识库,当发生故障的时候只需要观测故障现象,查询知识库即可判断故障类型,难点在于难以穷尽所有的故障现象并得到完备的故障知识库,而有些故障模态往往与变频器正常运行时的某种状态时非常相似,造成了难以准确匹配故障。电压检测法通过考察变频器故障时电机相电压、电机线电压或电机中性点电压与正常时的偏差来诊断故障。只需要四分基波周期便能检测出故障,大大缩短了诊断时间, 只是这种方法需要增加电压传感器, 通用性差。西门康IPM智能模块原装

      将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指回零。此时即可判断IGBT 是好的。

      任何指式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

      快速熔断器170M1369 变频器逆变桥 IGBT 开路的故障诊断,对平均电流 Park 矢量法、三相平均电流法以及提出的基于傅里叶变换的归一化方法做了对比验证,得到如下结论: 1)平均电流 Park 矢量法和三相平均电流法在稳态情况下可以准确地检测 IGBT 开路故障,故障管,但在突加、突减负载时会出现误诊断 。 2)利用离散傅里叶变换得到定子电流的直流分量和基波幅值,然后根据基波幅值大小将直流分量归一化,依据归一化后的直流分量大小开路故障的 IGBT,可解决传统方法在突加、突减负载时会出现误诊断的问题。 3)变频器 IGBT 开路故障诊断提供了有效方法,其可做为容错控制的基础,后续工作可以围绕故障后的容错控制展开。 西门康IPM智能模块原装进口

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。

      若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。

      快速熔断器170M1369 IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。那么该如何根据IGBT的驱动要求设计过流保护呢? IGBT的过流保护可分为两种情况:(1)驱动电路中无保护功能;(2)驱动电路中设有保护功能。对于种情况,我们可以在主电路中要设置过流检测器件;第二种情况,由于不同型号的混合驱动模块,其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同,使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动或者减小栅压来进行保护。 西门康(赛米控)可控硅模块全新原装

      IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。

      快速熔断器170M1369 过压保护则可以从以下几个方面进行: ●尽可能减少电路中的杂散电感。 ●采用吸收回路。吸收回路的作用是;当IGBT关断时,吸收电感中释放的能量,以降低关断过电压。 ●适当增大栅极电阻Rg。 IGBT的过热保护一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器),并可进行风冷。 西门康IPM智能模块原厂品质

      由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因。因此使用中要注意以下几点:

      在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

      在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

      在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将或停止IGBT模块工作。

      一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。

      IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

      快速熔断器170M1369   新型保护模式 将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管(TVS)。一般栅极驱动电压约为15V,可以选型SJ15CA。该产品可以通过IEC61000-4-5浪涌测试10/700US6kV。 TVS反应速度极快(达PS级),通流能力远超稳压二极管(可达上千安培),同时,TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。 将传统电阻RG变更为正温度系数(PPTC)。它既具有电阻的效果,又对温度比较敏感。当内部电流增加时,其阻抗也在增加,从而对过流具有非常好的抑制效果。

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